| |
Нил, М.
SMD MOSFETс потерями почти как у GAN FET для мощных систем с жесткой коммутацией [Текст] / М. Нил
// Электронные компоненты. – 2017. – № 1. – С. 79-81.
В статье рассматриваются преимущества, которые обеспечивают в этом плане новые силовые MOSFET-транзисторы. |
