| |
Устойчивость нитридных СВЧ монолитных интегральных схем преобразователя сигнала к облучению потоком нейтронов и гамма-излучению [Текст] / С. С. Арутюнян, К. А. Кагирина, Д. В. Лаврухин [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 5. – С. 435-441.
Расследована радиационная стойкость преобразователей сигнала миллиметрового диапазона, изготовленных на основе нитридных транзисторов с высокой подвижностью электронов (AlGaN/GaN HEMT), к облучению потоком нейтронов и гамма-излучению. В качестве параметров для оценки стойкости выбраны следующие: диапазон выходного ВЧ-сигнала, коэффициент преобразования и суммарный ток потребления. Получена зависимость тока потребления от поглощенной дозы и температуры образца при гамма-облучении. |
