Исследованы характеристики тонкопленочных кремниевых магнитотранзисторов со структурой металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл с встроенным обогащенным каналом и частичным обеднением квазинейтральной области. Конструкция транзисторов интегрирована с элементом Холла.