|
Фотоэлектрический преобразователь на основе алмаза [Текст] / Н. Б. Родионов, В. Н. Амосов, С. А. Мещанинов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 5. – С. 77-82.
Проведено исследование фотоэлектрического преобразователя наоснове p - i -структуры из синтетического алмаза. P-i-структура представляет собой подложку, выращенную методом HPHT при повышении давления и температуры алмаза p-типа, сильно легированного бором, на которую нанесена алмазная CVD типа I Iа толщиной - 50 мкм. |