| |
Коммутационные управляемые устройства на p-i-n-диодах миллиметрового диапазона длин волн [Текст] / Н. Ф. Карушкин, В. В. Малышко, В. В. Ореховский, А. А. Тухаринов
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2016. – № 4-5. – С. 34-41.
Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p-i-n-структур. |
