| |
Евдокимов, В. Д.
Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SiGe ГБТ [Текст] / В. Д. Евдокимов, Ю. А. Чаплыгин
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 387-390.
Рассмотрен механизм влияния примесного углерода на диффузию бора базы n-p-n кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора. Приведены зависимости электрофизических показателей структуры в зависимости от концентрации углерода. |
