| |
Захаров, П. С.
Модель эффекта переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти на основе нестехиометрического оксида кремния [Текст] / П. С. Захаров, А. Г. Итальянцев
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 309-315.
На основе сравнительного анализа экспериментальных данных показано, что существуют два различных эффекта переключения проводимости в оксиде кремния. Различия состоят в структуре каналов проводимости, а также в механизме их образования и разрушения. |
