| |
Рачет высоты барьера Шоттки на контакте металла с полупроводниковым твердым раствором (SiC) _1-х(AlN_х) [Текст] / Г. К. Сафаралиев, Б. А. Билалов, М. К. Курбанов [и др.]
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 453-458.
Предлагается простая нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металл-полупроводник, когда барьер Шоттки формируется поверхностными дефектными состояниями Е_і, локализованными на границе раздела. |
