| |
Модификация поверхности позитивного фоторезиста при ионной имплантации [Текст] / Д. И. Бринкевич, С. Д. Бринкевич, М. Г. Лукашевич [и др.]
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 448-452.
Методом атомно-силовой микроскопии экспериментально показано, что в процессе ионной имплантации на поверхности позитивного фоторезиста ФП2190 формируются неравномерно распределенные по поверхности конусообразные структуры. Изменение морфологии поверхности обусловлены релаксацией напряжений, образовавшихся в процессе изготовления полимерной пленки, радиационно-химическими процессами. |
