| |
Влияние алмазного теплового распределителя на характеристики транзисторов на основе нитридов галлия [Текст] / К. С. Гришаков, В. Ф. Елесин, Н. И. Каргин [и др.]
// Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 44-56.
В рамках гидродинамической модели, включающей уравнения непрерывности, Пуассона и уравнения для температуры электронов и решетки, решена задача о влиянии теплового распределительного слоя из алмаза на температуру и вольтамперные характеристики GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов. |
