| |
Анізотропія термоелектричних властивостей наноструктурованого матеріалу p-типу на основі (Bi,Sb)_2Te_3 [Текст] / І. А. Драбкін, В. Б. Освенський, Ю. М. Пархоменко [та ін.]
// Термоелектрика. – 2013. – № 3. – С. 36-48.
Досліджено анізотропію термоелектричних властивостей наноструктурованого матеріалу Bi_0,4Sb_1,6Te_3, отриманого методом спікання в іскровому плазмовому розряді - SPSу діапазоні температур від 245 до 420 К. |
