| |
Жуков, В. А.
Туннельный полевой транзистор на квантовой яме, образованной тремя слоями производных графена (СОН)_n-(CF)_n-(CH)_n, и со стоком из среднего слоя-(CF)_n [Текст] / В. А. Жуков, В. Г. Маслов
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 2. – С. 108-119.
Рассмотрен вариант туннельного полевого нанотранзистора на квантовой яме, в котором управляющее напряжение 0,6 В прикладывается к окружающим яму барьерам, а сток электронов происходит из квантовой ямы |
