| |
Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых AlGaInAsP/InP ([лямбда]=1470 нм) [Текст] / Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин [и др.]
// Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 10. – С. 879-883.
Исследовано влияние параметров лазерного резонатора на ватт-амперные характеристики лазеров спектрального диапазона 1400-1600 нм на основе системы твердых растворов AlGaInAs/GaInAsP/InP. |
