Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p-i-n-структур методом ЖФЭ [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, В. Р. Тимчишин, А. П. Васькив
    // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 6. – С. 41-45.

    Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p-i-n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе.

  УДК 621.315.592


            


Є складовою частиною документа Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технический журнал. – 2013. – № 6.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'