|
Декогерентизация III-N низкоразмерных наноструктур квантовых процессоров [Текст] / В. И. Осинский, И. В. Масол, М. С. Оначенко, А. В. Суший // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2014. – № 1. – С. 62-72.
Предлагается увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны, в частности, прямозонных материалов нитрида галлия или алюминия, выращенных в нанореакторах анодного оксида алюминия или оксида кремния, полученного в порах оксида алюминия. Наши результаты показывают эффективность применения таких самоорганизованных структур с целью создания массивов квантовых точек, устойчивых к процессам декогерентизации. В сравнении с другими технологиями создания квантового компьютера, использование широкозонных прямозонных бездефектных материалов обеспечивает работу устройств при комнатной температуре.
|