| |
Применение методики поверхностной фотоЭДС для контроля качества кремниевых эпитаксиальных слоев на сапфире [Текст] / А. Ф. Яремчук, А. В. Старков, А. В. Заикин [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 14-19.
Методом поверхностной фотоЭДС исследованы эпитаксиальные слои кремния на сапфире толщиной 0,3-0,6 мкм для производства p-канальных МОП-транзисторов с улучшенной радиационной стойкостью. |
