| |
Определение темпа термической генерации неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник - сверхтонкий окисел [Текст] / Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева
// Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 6. – С. 81-85.
Предложен простой метод определения скорости рождения электронно-дырочных пар в структурах металл-сверхтонкий окисел-полупроводник (м.о.п.). Метод основан на измерениях динамических вольт-амперных характеристик м.о.п.-структур в области глубокого обеднения поверхности полупроводника и на сопоставлении этих данных с квазиравновесной вольт-фарадной характеристикой идеальной м.о.п.-структуры. |
