| |
Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся субоксидных SiO_x-покрытий. I. Конструктивно-технологичесчкие особенности SiC-микрокатодов [Текст] / П. Г. Бобовников, А. С. Ермаков, И. В. Матюшкин [и др.]
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 3-12.
Выделены альтернативы, позволяющие понизить температуру технологического процесса до приемлемой в КМОП-технологии. |
