Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Петров, В. А.
    Влияние постоянного поперечного электрического поля на электронные интерференционные эффекты подбарьерного просачивания плотности квантомеханического тока в полупроводниковых 2D наноструктурах [Текст] / В. А. Петров, А. В. Никитин
    // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 5. – С. 528-536.

   Проведенный теоретический анализ показал, что в 2D полупроводниковых наноструктурах, потенциальный рельеф которых обеспечивает существование в таких структурах электронных интерференционных эффектов, вожможен эффект подбарьерного просачивания локальной плотности квантомеханического поля.

  УДК 539.2


            


Є складовою частиною документа Радиотехника и электроника [Текст] / РАН. – 2013. – Т. 58, № 5.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'