| |
Характеристики фотодиодов со структурой "собственный оксид - InSe", облученных высокоэнергетическими электронами [Текст] / О. Н. Сидор, О. А. Сидор, З. Д. Ковалюк, В. И. Дубинко
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 6. – С. 29-33.
Исследовано влияние электронов с эффективной энегией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33-33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой "собственный оксид - p-InSe". |
