Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au - TiB_2 - Ge - Au - n - n^+ - n^++ - InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника.