| |
Кондрик, А. И.
Температурные поля в растущем кристалле "солнечного кремния" [Текст] / А. И. Кондрик, О. А. Даценко, Г. П. Ковтун
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – С. 21-25.
Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания, методом Чохральского, монокристаллов Si. |
