| |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела "SiO_2-Si" [Текст] / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, Т. Ю. Ештокина [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 2. – С. 47-50.
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе " оксид кремния - кремний" в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. |
