| |
Добровольский, Ю. Г.
Кремниевый p-i-n-фотодиод с малым темновым током [Текст] / Ю. Г. Добровольский, А. А. Ащеулов
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 3. – С. 27-31.
Исследовано влияние кольцевой металлизации обратной стороны кристалла p-i-n-фотодиода на основе высокоомного кремния на его характеристики. |
