| |
Ростовые кислородсодержащие дефекты в кремнии, выращенном в слабом вертикальном магнитном поле [Текст] / Д. И. Бринкевич, В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович
// Микроэлектроника. – 2011. – Т. 40, № 4. – С. 309-312.
Методами измерения спектров И К поглощения, микроиндентирования и селективного травления исследованы свойства кремния (M - Si ) , полученнного по методу Чохральского при наложении на расплав вертикального магнитного поля напряженностью 0.05 Тл. |
