Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Стахіра, Й. М.
    Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe [Текст] / Й. М. Стахіра, О. Є. Флонт, Я. М. Фіяла
    // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 3. – C. 267-271.

   Проведено дослідження низькочастотної діелектичної проникності високоомних кристалів GaSe на частотах до 100 кГц з використанням блокуючих для носіїв електричного заряда контактів.

  УДК 537.226


            


Є складовою частиною документа Український фізичний журнал [Текст] : науковий журнал / НАН України, відділення фізики і астрономії. – 2011. – Т. 56, № 3.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'