| |
Електронні властивості поверхні (111) в А^3В^5 та А^2В^6 кристалах [Текст] / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, В. А. Макара [та ін.]
// Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 2. – С. 148-158.
Для полярної поверхні (111) типу А^3В^5 та А^2В^6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та прошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. |
