| |
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, Д. М. Заячук [и др.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 3. – С. 50-53.
Показано, что комплексное легирование расплавов индия редкоземельным и изовалентным элементами способствует значительному повышению эффективности очистки от фоновых примесей эпитаксиальных слоев. |
