| |
Петросянц, К. О.
Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, Р. А. Торговников
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 2. – С. 30-34.
Рассмотрены особенности моделирования SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов(ГБТ). |
