| |
Новосядлый, С. П.
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием [Текст] / С. П. Новосядлый, В. М. Вивчарук
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 2. – С. 35-39.
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. |
