Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
537
В 12          Вавилов, В. С.
    Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках [Текст] / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. – М. : Наука, 1981. – 368с : ил. – (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. ФПиПП). – Библиогр.:с. 332-360, 367-368. – 4500.

   Описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования.

  УДК 537.311.3+539.2


            



Примірники
Місце збереження Кількість В наявностi
703 - абон. наук. літ. 2 2


Теми документа


Статистика використання: Видач: 0





Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'