| К12 |
Кабальнов, Ю. А.
Повышение частотных свойств биполярных транзисторов при использовании буферного слоя поликристаллического кремния на эмиттере [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : защищена 25.12.87 / Юрий Аркадьевич Кабальнов; Таганрог. радиотехнич. ин-т. – Таганрог, 1987. – 16 с. – Библиогр.: с.15-16.
Разработан способ повышения граничной частоты и быстродействия биполярных транзисторов на кремнии, основанного на использовании буферного слоя поликристаллического кремния при имплантации легирующей примеси в область эмиттера с последующим отжигом. |
