|
Барабан, А. П. Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO2, подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 3. – 18-22.
Исследована электролюминесценция структур Si-SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу |