| |
Механически улучшенные силовые IGBT-модули на напряжение 3,3 кВ [Текст] / Т. Шутце, Й. Бирманн, Р. Шпанке, М. Пфафенленер
// Электронные компоненты. – 2006. – № 8. – 106-109.
Новый силовой модуль был разработан с целью максимального использования тепловых и электрических возможностей кристаллов |
