| |
Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15-50 GPa и температурах 77-400 K [Текст] / А. Бабушкин, С. Татур, Т. Лях [et al.]
// Физика и техника высоких давлений. – 2006. – 16, № 2. – 51-54.
При высоких двлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P равно приблизительно 40 GPa структурного фазового перехода |
