| |
Влияние ионной имплантации и УФ-облучения на зарядовое состояние структуры Si-SiO2 [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова [et al.]
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2006. – № 3. – 7-13.
Исследовано влияние на зарядовое состояние структур Si-SiO2 ионной имплантации аргона в окисный слой |
