| |
Войцеховский, А. В.
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 4. – 39-42.
Установлены особенности электрофизических характеристик, связанные с сопротивлением объема эпитаксиальной пленки и наличием приповерхностных варизонных слоев |
