| |
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs [Текст] / Н. М. Вакив, И. Р. Завербный, Д. М. Заячук [et al.]
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 40-45.
Разработана установка электрохимического профиля полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника |
