| |
Найда, Г. А.
Технологические закономерности выращивания структур AlN и GaN на сапфире при использовании неорганических донорно-акцепторных комплексов [Текст] / Г. А. Найда, В. В. Смирнов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 7-13.
Исследован процесс выращивания гетероэпитаксиальных слоев нитридов алюминия и галлия пиролиза комплексных соединений GaX3NH3 и AlX3NH3 на подложках сапфира |
