| |
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag-N0AI0,2Ga0,8As-n+GaAs-n0Ga0,9In0,1As-Au-структуры [Текст] / Д. Едгорова, А. Каримов, Ф. Гиясова, Р. Саидова
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – 46-49.
Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей |
