Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Васильев, П. П.
    Влияние режима сверхизлучения на ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. П. Васильев, Х. Кан, Т. Хирума
    // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 5. – 424-428.

   Продемонстрировано в явном виде, что, в отличие от лазерной генерации, в режиме сверхизлучения отсутствуют такие явления, как самофокусировка, нестабильность и деформация ближнего и дальнего полей излучения

  УДК 681.7.069.24


            




Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'